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半導體檢測高低溫沖擊試驗箱采用整體式組合結(jié)構(gòu)形式，既試驗箱由位于上部的高溫試驗箱，位于下部的低溫試驗箱體、位于后部的制冷機組柜和位于左側(cè)后板上的電器控制柜（系統(tǒng)）所組成。此方式箱體占地面積小、結(jié)構(gòu)緊湊、外形美觀，制冷機組置于獨立的機組箱體內(nèi)，以減少制冷機組運行時的震動、噪聲對試驗箱的影響，同時便于機組的安裝和，電器控制面板置于試驗箱的左側(cè)板上以便于運行操作。
半導體檢測高低溫沖擊試驗箱主要技術(shù)指標：
技術(shù)參數(shù)
1. 溫度范圍：-20℃～200℃（A）、-40℃～200℃(B)、-60℃～200℃(C)；
2. 樣品吊籃：（WDCJ-100）350×350×380、（WDCJ-300）520 ×520×580；
3. 吊籃承重：（WDCJ-100）15Kg、（WDCJ-300）18Kg；
4. 試驗區(qū)：①溫度波動度±0.5℃（溫度恒定后），②溫度偏差≤3℃；
5. 高低溫區(qū)：溫度波動度≤±2.0℃；
6. 升溫速率：1.0～3.0℃/min；
7. 降溫速度：0.7～1.0℃/min；
8. 溫度轉(zhuǎn)換時間：≤15s（樣品從高溫區(qū)到低溫區(qū)或從低溫區(qū)到高溫區(qū)）；
9. 溫度恢復時間：≤15min
10. 電源電壓：AC380±10%V 50Hz